光电显示是人机交换信息的窗口，广泛应用于手机、计算机、虚拟现实、增强现实等领域。基于第三代半导体材料氮化镓的Micro-LED新型显示具有高发光效率、高亮度、响应时间短和可靠性好的优良特性，被行业誉为继LCD和OLED显示的下一代显示技术。
近年来，Micro-LED显示成为一个热门的研究方向，受到了国内外产业界和学术界的高度重视。氮化镓基LED照明技术的发展促进了LED外延、芯片工艺、封装技术的突飞猛进，这也有助于LED技术的进步，然而Micro-LED在外延生长、芯片制备、封装、应用技术层面与照明LED技术具有本质的不同，需要从各个层面全方位地突破Micro-LED显示技术，来实现Micro-LED显示的大规模商业化。并且，Micro-LED除了显示功能外，还在可见光通信、光电镊子、生物医学等领域具有独特的优势。
目前，Micro-LED技术是国际竞争关键科技焦点之一。但是过去几十年，在半导体显示方面的核心技术一直处于日韩等企业的垄断局面，micro-LED显示关键半导体材料是用的氮化镓，属于第三代半导体（也称为宽禁带半导体），不管从材料、制造以及装备，中国半导体显示行业都遭遇了外部的强大压力，为了解决半导体显示“卡脖子”问题，中国也在“十四五”规划中大力投入对Micro-LED技术的研究，中央和地方*府也密集出台*策支持新型显示核心技术的发展。
上海交通大学出版社重磅推出《Micro-LED显示技术》一书，精彩内容一睹为快！
《Micro-LED显示技术》
田朋飞
上海交通大学出版社
Micro-LED显示技术——*策导向※年3月13日，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和年远景目标纲要》发布，其中“集成电路”领域，特别提出碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体也就是行业人士